鸿钧微电子申请自动修复SRAM缺陷的结构、系统及方法专利，解决芯片中部分模块修复SRAM的技术问题

金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，广东鸿钧微电子科技有限公司申请一项名为“自动修复SRAM缺陷的结构、系统及方法”的专利，公开号CN 119028415 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种自动修复SRAM缺陷的结构、系统及方法，涉及芯片应用技术领域，公开了一种自动修复SRAM缺陷的结构包括：冗余链、内置修复链以及逻辑模块；逻辑模块用于接收修复信息并分别发送至内置修复链和冗余链；内置修复链用于接收所述逻辑模块传输的修复信息以修复SRAM，冗余链用于备份修复信息。通过搭建与内置修复链同等长度的冗余链备份修复信息，当检测到内置修复链休眠唤醒后，通过逻辑模块将冗余链中的备份信息串入内置修复链中，实现了单独修复丢失信息的内置修复链，从而解决了芯片中部分模块需要单独修复SRAM的技术问题，相比于现有技术修复时间短，集成占空小。