长鑫存储申请半导体结构制作方法专利，减少刻蚀工艺的次数

金融界2024年12月3日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法及其结构、存储器”的专利，公开号CN 119053151 A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及其结构、存储器，其中，半导体结构的制作方法包括：提供基底；在基底上形成N层堆叠结构，其中，N层堆叠结构中的每一堆叠结构都包括绝缘层及导电层；形成包括N个开口的掩膜层；进行M次刻蚀处理以形成凹槽，每一凹槽暴露不同的堆叠结构的导电层，前M‑1次刻蚀处理都沿着至少两个开口刻蚀堆叠结构，且相邻两次的刻蚀处理沿着部分相同或者全不相同的开口刻蚀堆叠结构，刻蚀处理包括：形成位于掩膜层顶面的光刻层，光刻层将部分开口覆盖，沿光刻层暴露的开口刻蚀堆叠结构，以暴露导电层的顶面，M为小于N的正整数；形成导电插头，导电插头填充满凹槽。可以减少刻蚀工艺的次数。