长鑫存储申请半导体器件及其制备方法专利，实现新的半导体器件制备你被提拔需上台讲两句，千万别说“感谢领导”，高情商这样做

金融界 2024 年 12 月 3 日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号 CN 119053155 A，申请日期为 2023 年 5 月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：衬底；衬底至少包括器件区；堆叠结构，位于衬底表面；堆叠结构包括沿第三方向循环交替堆叠的间隔层和导电层；多个栅极，位于器件区、且沿第三方向贯穿堆叠结构；栅极包括控制层和位于控制层侧壁的电荷存储层；多个通道层，至少环绕设置于栅极的部分侧壁上；通道层和栅极形成存储单元；第三方向与衬底所在的平面相交。